結論：ペリクルは、フォトマスク（レチクル）表面に付着するパーティクルを光学的にデフォーカスさせてウェハへの欠陥転写を防ぐ超薄膜の保護フィルム。ArF露光用はフッ素系ポリマー、EUV用はポリシリコン薄膜（50nm以下）と材料がまったく異なり、EUV用ペリクルの量産化が半導体産業全体の課題となっている。
ペリクルとは何か
半導体の露光工程では、フォトマスク（レチクル）に描かれた回路パターンをウェハに転写する。このとき、レチクル表面に微小なパーティクル（ゴミ）が付着すると、そのパーティクルがウェハ全面にシャープに転写されて欠陥が生じる。1枚のレチクルは数百万〜数千万ドルの価値を持ち、数十万枚のウェハに同じパターンを転写するため、レチクルの汚染は莫大なコストを生む。
これを防ぐのがペリクルだ。ペリクルはレチクルの表面から数mmの距離に取り付けられた超薄膜のフィルムで、パーティクルがペリクル面に付着してもレチクル面から光学的にデフォーカス（焦点ぼけ）した位置にあるため、ウェハ上では影として映らない。つまりペリクルは「パーティクルをデフォーカスで無害化するフィルター」と言える。
ArF用ペリクルとEUV用ペリクルの違い
ArF液浸露光（193nm）用ペリクルは、高透過率のフッ素系ポリマー薄膜（厚さ数百nm〜数μm）が標準で、技術的には成熟している。一方、EUV露光（13.5nm）では状況がまったく異なる。
EUV光はほとんどすべての物質に吸収されるため、ペリクルはEUV光に対して90%以上の透過率を持たなければならない。この要件を満たすのは現時点でポリシリコン（多結晶シリコン）薄膜のみで、厚さ50nm以下という極薄の構造が必要だ。この超薄膜ペリクルは非常に壊れやすく、装着・搬送・管理に高度な技術が求められる。2026年時点でASMLはEUVペリクル装着済みのレチクルポッドシステムを開発しており、三井化学・旭化成・Cantunaらがポリシリコンペリクルの量産に取り組んでいる。
ペリクルがない場合のリスク
ペリクルを使わない場合、レチクルを露光装置に入れるたびにクリーンルーム内でのパーティクル検査と清掃が必要となり、スループットが大幅に低下する。EUV装置内部は高真空のためパーティクル管理がArFより難しく、ペリクルの重要性が特に高い。TSMCやIntelはEUVペリクルなしでは量産歩留まりの確保が困難と述べており、ペリクル供給の安定化が半導体産業全体の緊急課題となっている。
実際にTSMCは一時期ペリクルなしでEUV量産を行い、頻繁なレチクル清掃と検査でスループット損失が生じていた。EUVペリクルの歩留まり改善効果は非常に大きく、量産導入が本格化すれば製造コスト削減への貢献が期待される。
ペリクルの製造難易度と課題
EUV用ペリクルの製造はいくつかの技術的難題を抱える。第一に、50nm以下のポリシリコン薄膜を均一に成膜し、かつ数百mm角の面積で均一な透過率を確保することは極めて困難だ。第二に、EUV露光中のペリクルが光を吸収して発熱するため、耐熱性・熱放散性の確保が必要。第三に、ウェハ搬送・着脱時に薄膜が破損するリスクを管理するハンドリング技術が必要だ。これらの課題を克服した量産技術の確立が、EUV露光の本格普及を左右する。
投資・M&A視点
EUV用ペリクル市場は現在、量産対応できるサプライヤーが極めて少なく、供給リスクが高い。三井化学がEUVペリクル事業に注力しており、ASMLとの共同開発・供給契約が期待される。量産コストが低下すれば、EUV導入ファブ全体にペリクルが普及し、材料企業の安定した収益源になる。また、EUVペリクルの採用如何がTSMC・Intel・Samsungの歩留まり競争に直結するため、投資・M&A分析においてペリクル供給企業（三井化学・旭化成・AGC）の動向は重要な観察指標だ。
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